Có thông báo rằng con chip này là thành quả nghiên cứu sáng tạo của một nhóm các chuyên gia từ Đại học Phúc Đán, còn công trình của họ trước đây đã công bố trên tạp chí khoa học Nature.
"Bước đột phá này kết hợp một thiết bị bộ nhớ flash siêu nhanh với công nghệ bán dẫn oxit kim loại bổ sung (CMOS) dựa trên silicon... con chip hỗ trợ các lệnh 8 bit, các lệnh song song tốc độ cao 32 bit và truy cập ngẫu nhiên, mang lại thông lượng ô nhớ lên tới 94,3%. Hiệu suất của con chip vượt trội so với các công nghệ bộ nhớ flash hiện tại, khiến nó trở thành chip flash lai đầu tiên dựa trên silicon 2D được triển khai kỹ thuật", China Daily đưa tin.
Có lưu ý rằng sự phát triển của công nghệ trí tuệ nhân tạo đã làm tăng mạnh nhu cầu truy cập dữ liệu nhanh hơn, vì các công nghệ hiện có bị hạn chế về tốc độ truyền dữ liệu và mức tiêu thụ điện năng cao.
Theo thông báo trên trang web của trường đại học, các chip này thường được làm bằng silicon, với độ dày wafer của chúng là vài trăm micron, còn mỏng nhất là vài chục nanomet. Bây giờ vật liệu bán dẫn hai chiều mỏng như một nguyên tử, hoặc nhỏ hơn 1 nanomet.
"Là một cấu trúc vật liệu mới, chất bán dẫn hai chiều hiện chưa có trong tất cả các nhà máy chế tạo mạch tích hợp trên toàn thế giới", ông Chu Bằng trưởng nhóm nghiên cứu cho biết, ý kiến của ông được dẫn trên trang web của trường đại học.
Các nhà khoa học dự định hợp tác với các công ty công nghệ để triển khai thực thi dự án. Họ hy vọng rằng công nghệ của họ sẽ thay đổi hoàn toàn kiến trúc bộ nhớ truyền thống, cho phép xử lý dữ liệu nhanh hơn và tiết kiệm năng lượng hơn dành cho công nghệ AI và những bộ dữ liệu lớn.