Mỹ cáo buộc Trung Quốc chế tạo "vũ khí điều khiển não người"

© Depositphotos.com / William PerryBộ thương mại Hoa Kỳ, Washington
Bộ thương mại Hoa Kỳ, Washington - Sputnik Việt Nam, 1920, 19.12.2021
Đăng ký
Chính quyền Tổng thống Mỹ Joe Biden áp đặt các biện pháp trừng phạt đối với hàng chục viện nghiên cứu của chính phủ và các công ty công nghệ tư nhân ở Trung Quốc, theo ABC News.
Đặc biệt, Washington cảnh báo các tổ chức này đang hoạt động như một phần trong chiến lược rộng lớn hơn của chính phủ Trung Quốc nhằm phát triển và triển khai công nghệ sinh học, bao gồm "vũ khí điều khiển não", để có thể sử dụng cho "mục đích tấn công".
6G - Sputnik Việt Nam, 1920, 11.06.2021
Trung Quốc và Mỹ tiếp tục cạnh tranh trong lĩnh vực công nghệ 6G
Như tờ báo lưu ý, những công nghệ này có thể được sử dụng để thực hiện đàn áp đối với người Duy Ngô Nhĩ và các dân tộc thiểu số Hồi giáo khác. Hoa Kỳ mô tả những hành động này của Bắc Kinh là hành động diệt chủng.
Các biện pháp hạn chế mà Washington đưa ra nhằm mục đích cấm sử dụng các công nghệ Mỹ trong các dự án như vậy hoặc chặn quyền truy cập của các tổ chức bị trừng phạt vào hệ thống tài chính Mỹ.
“Việc theo đuổi khoa học công nghệ sinh học và đổi mới y tế có thể cứu sống con người. Thật không may, CHND Trung Hoa đã quyết định sử dụng những công nghệ này để giành quyền kiểm soát người dân và đàn áp các sắc tộc thiểu số và tôn giáo”, Bộ trưởng Thương mại Hoa Kỳ Gina Raimondo cho biết.
Quốc hội Hoa Kỳ - Sputnik Việt Nam, 1920, 09.06.2021
"Có những người phản đối": Chuyên gia bình luận kế hoạch của Mỹ về đối đầu công nghệ với Trung Quốc

Danh sách đen

Tổng cộng, 12 viện nghiên cứu và 22 công ty công nghệ Trung Quốc bị đưa vào danh sách đen. Kể từ bây giờ, mọi hoạt động xuất khẩu hoặc chuyển giao công nghệ Mỹ cho các tổ chức này, ngoại trừ một số trường hợp có giấy phép, đều bị cấm. Mục tiêu chính của lệnh trừng phạt là Học viện Khoa học Quân y Trung Quốc và 11 viện nghiên cứu trực thuộc.
Tin thời sự
0
Để tham gia thảo luận
hãy kích hoạt hoặc đăng ký
loader
Phòng chat
Заголовок открываемого материала